| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IDT70V659S10DR |
208-BFQFP | IDT, Integrated Device Technology Inc | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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IDT70V659S10DR参数 产品类别：集成电路 (IC)-存储器 说明：IC SRAM 4MBIT 10NS 208QFP 包装数量：6 包装形式：托盘 PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档格式 - 存储器：RAM 存储器类型：SRAM - 双端口，异步 存储容量：4.5M（128K x 36） 速度：10ns 接口：并联 电源电压：3.15 V ~ 3.45 V 工作温度：0°C ~ 70°C |
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热门型号： 陶瓷电容器A273M20X7RL5TAA PMIC - 稳压ZMR250CSTOB 配件AB1 鐢垫祦AAV003-10E 按钮开关A165L-JRM-5D-2 卡导轨 - 配件CP-66BK 芯片电阻 - 表面MCU08050D3322BP500 逻辑 - 栅极和逆SN74LVC1G99YZPR Card EdgeEEM06DTAI-S189 接口 - UARTXR68M752IB49-F |
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